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> SI6443DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
型号:
SI6443DQ-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI6443DQ-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫欧 @ 8.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.05W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SI6443DQ-T1-GE3CT
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